DDR3学习笔记

布满荆棘的人生 2022-06-18 03:38 143阅读 0赞

最近可能需要配置DDR3内存，所有找了一下关于DDR3内存的资料。大部分中文资料都是DDR3与DDR2对比的资料，我稍微整理了一下，主要有以下几点：

**一、容量和封装相关**

**（1）逻辑****Bank****数量增加**

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，而DDR3**起始的逻辑****Bank****是****8****个**，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

**（2）封装（****Packages****）**

DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格。

DDR3由于新增了一些功能，所以引脚有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，并且DDR3必须是绿色封装。

**二、信号时序相关**

**（1）****突发长度（****Burst Length****，****BL****）**

**由于****DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，**

而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

**       任何突发中断操作都将在****DDR3****内存中予以禁止，且不予支持，**取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

**（2）****寻址时序（****Timing****）**

像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，**DDR3****的****CL****周期也将比****DDR2****有所提高**。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，

且**附加延迟（****AL****）**的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而**DDR3****时****AL****有三种选项，分别是****0****、****CL-1****和****CL-2****。**

DDR3还新增加了一个时序参数——**写入延迟（****CWD****）**。

**三、信号完整性方面**

(1)**.****新增****ZQ****校准功能**

ZQ是一个新增的引脚，**在这个引脚上接有一个****240****欧姆的低公差参考电阻。**这个引脚通过一个命令集，通过**片上校准引擎（****On-Die Calibration Engine****，****ODCE****）**来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

(2)**参考电压分成两个**

在DDR3系统中，电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

但是对于一些设计来说，很多都将这两个引脚连接到CPU的DDR3控制器的同一个参考电压端（外围有一些电容做滤波）。

(3)**点对点连接（****Point-to-Point****，****P2P****）**

这是为了提高系统性能而进行的重要改动。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

**四、节能降耗相关**

**（1）****新增的重置（****Reset****）功能**

**      Reset**是DDR3新增的一项重要功能，为此增加了一个引脚。

这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这将使DDR3达到最节能的目的。

**（2）新增了RASR****（****Partial Array Self-Refresh****）局部****Bank****刷新的功能**，

针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

**(3)新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能**

SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存加了了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，

(4)**降低工作电压**

**DDR3使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V**，而DDR2的核心工作电压为1.8V**。****相关数据预测****DDR3****将比现时****DDR2****节省****30%****的功耗**，

～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～

**参考资料：**

WIKI百科：[DDR3 SDRAM][]

百度百科：[DDR3][]

JEDEC [DDR3的标准][DDR3 1]

三星、海力士都有关于DDR3的时序说明文档，都大同小异：

[三星技术文档][Link 1]

海力士技术文档：

[DDR3 SDRAM][DDR3 SDRAM 1]

[Device Operation][]

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[DDR3 SDRAM]: http://zh.wikipedia.org/zh/DDR3_SDRAM
[DDR3]: http://baike.baidu.com/view/529890.htm
[DDR3 1]: http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD79-3E.pdf
[Link 1]: http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Greenmemory/m/Products/DDR3/DDR3_TechFiles.html
[DDR3 SDRAM 1]: http://www.skhynix.com/products/computing/computing.jsp?info.ramCategory=computing&info.ramKind=19&info.eol=NOT&posMap=computingDDR3
[Device Operation]: http://www.skhynix.com/inc/pdfDownload.jsp?path=/datasheet/Timing_Device/DDR3%20Device%20Operation.zip
[ChinaUnix_...]: http://blog.chinaunix.net/uid-31139502-id-5711603.html
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