Flash 编程

待我称王封你为后i 2024-03-22 08:49 7阅读 0赞

FM33A048B 支持以下Flash 编程方法：  
⚫ 在系统编程（ISP）：通过FMSH 专用编程器或者KEIL 用户界面实施芯片编程，使用SWD 接  
口  
⚫ 在应用编程（IAP）：通过bootloader 代码实现芯片自编程，用户可定义任意串口，可用于实现  
程序在线升级

Flash 擦写方法  
FM33A048B 支持Flash 擦除操作，以及单次编程和连续编程。执行Flash 擦写使用校准后的RCHF 时  
钟，而此时CPU 运行的系统时钟可以是任意时钟。  
注意，在擦写Flash 时，必须保证RCHF 开启，并且RCHF 频率选择为8/16/24MHz，当RCHF 为其  
他频率时，无法保证Flash 擦写的可靠性。  
Flash 擦写前须进行Key 校验，写入顺序错误或写入值错误，或者在Flash Key 验证正确之前就进行  
擦除或编程Flash 操作将会进入错误状态，并产生相应中断。Flash Key 认证错误之后将禁止擦写Flash  
直到下一次复位。而在正常擦写完成后，向KEY 寄存器写入任意值都会使状态机返回初始的写保护  
状态。

全擦操作（Chip Erase）  
全擦操作只能由SWD 接口启动，软件禁止进行全擦。全擦操作仅擦除main array，硬件确保NVR  
引脚拉低，不会擦除NVR 扇区。SWD 操作流程如下：  
⚫ 编程器通过SWD 配置ERTYPE 寄存器为10  
⚫ 编程器通过SWD 清除PREQ 寄存器，置位EREQ 寄存器  
⚫ 编程器通过SWD 写入Flash 全擦Key：0x9696\_9696 和0x7D7D\_7D7D  
⚫ SWD 向Flash 任意地址写擦除请求0x1234\_ABCD  
⚫ NVMIF 启动对Flash 的全擦，并暂停任何Master 对Flash 的访问  
⚫ 全擦完成后置位中断标志和全擦标志（全擦标志表示main array 全部擦除，任何对main array  
的编程将清除此标志）  
⚫ 在全擦标志有效的情况下，SWD 可以任意擦写NVR5，否则擦写NVR5 被禁止并触发错误中断  
⚫ 软件确认擦除结束后向FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护  
全擦操作不会擦除已经映射使用的冗余扇区。对于冗余扇区， 应先从地址  
0x1FFFFE20/0x1FFFFE24/0x1FFFFE28/0x1FFFFE2C 中，读出4 words 冗余扇区映射信息，然后根据  
映射信息以及5.2 章节Flash 逻辑地址映射关系，参照下一小节内扇区擦操作的流程，擦除被映射使  
用的扇区

扇区擦操作（Sector Erase）  
SWD和应用代码都可以执行扇区擦。操作流程如下：  
⚫ 配置 ERTYPE 寄存器为 00  
⚫ 清除 PREQ 寄存器，置位 EREQ 寄存器  
⚫ 写入 Flash 擦 除 Key 0x9696\_9696 和 0xEAEA\_EAEA  
⚫ 向需要擦除的扇区内任意地址写擦除请求 0x1234\_ABCD  
⚫ NVMIF 检查目标扇区是否属于被 ACLOCK 锁定的 Block ，如果没有锁定则启动对目标扇区的  
擦除，如果 被锁定则触发错误标志  
⚫ 扇区擦完成后置位中断标志  
⚫ 软件确认擦除结束后向 FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护

单次编程  
单次编程由软件发起，通过总线直接写Flash，每次操作可执行byte/half-word/word编程，操作流程如下：  
⚫ 清除 EREQ 寄存器，置位 PREQ 寄存器  
⚫ 清除连续编程使能寄存器  
⚫ 写入 Flash 编程 Key 0xA5A5\_A5A5 和 0xF1F1\_F1F1  
⚫ 向 Flash 目标地址写数据，如果目标地址被 ACLOCK 锁定，则触发错误标志，如果没有锁定，  
则执行编程  
⚫ Byte 写入直接完成， half word 写入则由 NVMIF 自动执行 2 次 byte program word 编程由 NVMIF  
执行 4 次 byte program  
⚫ 编程完成后置位中断标志  
⚫ 软件确认编程结束后向 FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护

连续编程  
连续编程指通过DMA的Memory通道一次向Flash写入half-sector（256字节）。连续编程时DMA从RAM指定地址读取数据，Flash目标编程地址必须是half-sector对齐的，也就是Flash地址低6位为0。采用这种方式时一次编程的数据长度是固定的，主要用于快速大数据量写入。  
在启动连续编程期间，DMA完全占据Flash总线，暂停CPU对Flash的一切访问。连续编程的操作流程如下：  
⚫ 清除 EREQ 寄存器，置位 PREQ 寄存器  
⚫ 置位连续编程使能寄存器（ DMA 模式使能）  
⚫ 向 RAM 中写入 256 字节待编程数据  
⚫ 配置 DMA 存储器通道，设定传输方向、读地址和写地址  
⚫ 使能 DMA 存储器通道  
⚫ 写入 Flash 编程 Key 0xA5A5\_A5A5 和 0xF1F1\_F1F1  
⚫ 软件触发 DMA 存储器通道， DMA 连续 64 次读取 RAM 并对 Flash 编程， NVMIF 每收到 1 个  
word 自动完成 4 次 byte pro gram  
⚫ NVMIF 检查被编程扇区是否被 ACLOCK 锁定，如果锁定则触发错误中断并通知 DMA 停止编  
程  
⚫ 256 字节完全编程结束后产生中断，释放 Flash 总线  
⚫ 软件确认编程结束后向 FlashKEY 寄存器写任意值恢复写保护  
注意：如果CPU在Flash中取指时进行Flash擦写，则CPU取指将被暂停，直到擦写操作完成。如果CPU跳转到RAM中取指运行，则Flash擦写不会暂停CPU的执行。Flash擦写过程中，若用户希望在RAM中执行代码时仍然能够实时响应中断，应将中断向量表重新映射到RAM中。